硅片去除光刻胶，一般都是采用等离子处理机的干洗清洗方式，以解决光刻胶问题。半导体等离子清洗机是晶圆加工前的后端封装工艺，是晶圆扇出、晶圆级封装、3D封装、倒装片和传统封装的理想选择。圆晶封装前采用等离子体清洗机处理的目的是去除表面层中的无机物，减少氧化层，增加铜表面层的粗糙度，提高产品的可靠性。半导体等离子清洗设备支持直径75mm至300mm的圆形或方形晶片、基片的自动处理。另外，可以根据晶片的厚度，有或无载体的薄片处理。等离子清洗机的真空室设计具有蚀刻均匀性和工艺重复性。

使用等离子清洗机表面处理主要包括各种蚀刻，灰化，除尘等工艺过程。等离子体清洗机的处理包括去除晶圆凸块工艺前的污染去污、表面粗糙化、增加潮湿、增强粘合和粘合强度、抗光蚀剂/聚合物剥离、介质腐蚀、晶片凸起、**物去除和晶片脱模。等离子清洗机能去除**污染物，卤素污染物，如氟，金属和金属氧化物。电浆还能增加薄膜的粘附力，清洁金属接合垫。

等离子清洗机的应用包括预处理、晶圆凸点、灰化/光刻胶/聚合物剥离、介电蚀刻、消除静电、去除**污染、晶圆减压等，使用等离子清洗机不仅能去除光刻胶等**物，还能活化增厚晶圆表面，提高晶圆表面的润湿性，使晶圆表面具有黏附性。

半导体等离子清洗设备加强金焊料凸起的粘附能力、使晶片减损、提高镀膜的粘附能力、清洁铝键合.